Ваш профессиональный поставщик станков для лазерной резки керамики из карбида кремния (SiC)!
YCLaser разрабатывает и производит станки для лазерной обработки керамики из карбида кремния (SiC), охватывающие прецизионную резку, контурную резку, сверление, разметку, прорезание пазов, обрезку и другие индивидуальные процессы обработки.
-
![Станок для УФ-лазерной резки SiC керамики]()
Станок для УФ-лазерной резки SiC керамикиСтанок для УФ-лазерной резки SiC керамики предназначен для точной резки, сверления, нанесения надписей и микрообработки керамических компонентов из карбида кремния (SiC). -
![Станок для лазерной резки SiC керамики QCW]()
Станок для лазерной резки SiC керамики QCWСтанок для лазерной резки SiC Ceramic QCW предназначен для высокоэффективной-резки и сверления керамических компонентов из карбида кремния (SiC) типичной толщиной от 0,3 до 6 мм. -
![Солнечная фотоэлектрическая лазерная сверлильная машина]()
Солнечная фотоэлектрическая лазерная сверлильная машинаЗнакомство с оборудованием Станок оснащен-мощной волоконной лазерной системой для точной резки, сверления и нанесения надписей на современную керамику. Оптимизированный для работы со сверхтвердыми -
![Станок для лазерной нарезки пластин SiC Power Device]()
Станок для лазерной нарезки пластин SiC Power DeviceОписание продукции Машина для лазерной резки пластин SiC Power Device специально разработана для точного разделения и нарезки кубиками пластин карбида кремния (SiC), силовых полупроводниковых
- Материал:Карбид кремния (SiC)
- Обработка:Резка · Сверление · Разметка · Прорезание пазов · Обрезка · Микрообработка
- Опции лазера:УФ 355 нм · QCW волокно 1060–1080 нм · Пикосекундное УФ
- Типичная толщина QCW:Приблизительно. 0.3–6 мм
- Тип машины:Индивидуальная система промышленной лазерной обработки
*Фактическая производительность обработки зависит от состава SiC, плотности, толщины, геометрии, диаметра отверстия, требований к качеству кромки-и других условий процесса.
Почему стоит выбрать лазер WHYC для обработки SiC?
Несколько лазерных решений SiC
WHYC Laser предлагает конфигурации УФ-наносекундного, QCW-волоконного наносекундного и УФ-пикосекундного лазеров для различных требований обработки SiC.
Существенная-Разработка конкретного процесса
Мы разрабатываем параметры лазера в соответствии с реальным материалом SiC, а не полагаемся только на номинальную мощность или толщину лазера.
Индивидуальная конфигурация машины
Рабочая зона, мощность лазера, оптическая система, платформа движения, визуальное позиционирование, автоматизация и вспомогательные системы могут быть настроены в соответствии с приложением.
Передовой опыт обработки керамики
Наши лазерные системы предназначены для обработки трудно--материалов, включая SiC, Si₃N₄, AlN, Al₂O₃, ZrO₂ и другую современную керамику.
Выборочное тестирование перед инвестицией в оборудование
Клиенты могут предоставить образцы и чертежи для оценки процесса перед выбором окончательной конфигурации машины.
Комплексная поддержка оборудования
Мы предоставляем комплексное решение для лазерной-обработки: от выбора-источника лазера и разработки процесса до производства оборудования, испытаний, установки и технической поддержки.
Возможности лазерной обработки SiC
|
Процесс |
Типичное применение |
|
Точная резка |
Тонкие керамические компоненты SiC |
|
Резка профиля |
Сложные контуры SiC |
|
Писать |
Сепарация керамики и обработка поверхности |
|
Прорезывание |
Узкие и функциональные слоты |
|
Сверление больших-отверстий |
Структурные и функциональные проемы |
|
Сверление микро-отверстий |
Мелкие отверстия и массивы отверстий |
|
Обрезка |
Обработка кромок и профилей |
|
Кольцевая резка |
Круглые компоненты SiC |
|
Пакетное гашение |
Высокоэффективное-производство |
|
Обработка шаблонов |
Тонкие керамические конструкции |
Типичные конфигурации станков для лазерной резки SiC
Система УФ-лазерной обработки
|
Элемент |
Спецификация |
|
Оборудование |
Система УФ-лазерной обработки |
|
Приложение |
Лазерная резка и микрообработка керамики SiC |
|
Длина волны лазера |
355 нм |
|
Тип лазера |
УФ-наносекундный лазер |
|
Мощность лазера |
20W |
|
Частота лазера |
50–200 кГц |
|
Максимальная площадь обработки |
300 × 300 мм* |
|
Одно поле сканирования |
50 × 50 мм |
|
Перемещение по оси Z- |
50 мм |
|
Минимальное фокусное пятно |
20μm |
|
Минимальная ширина линии гравировки |
15μm |
|
Точность позиционирования рабочего стола |
±3μm |
|
Повторяемость рабочего стола |
±2μm |
|
Точность позиционирования CCD Vision |
±3μm |
|
Максимальная скорость сканирования |
7000 мм/с |
|
Система всасывания |
Расход воздуха вентилятора 100 м³/ч |
|
Диапазон температур чиллера |
18–24 градуса |
|
Точность температуры чиллера |
Меньше или равно 0,2 градуса |
|
Источник питания |
220 В, 50 Гц |
|
Общая потребляемая мощность |
5кВт |
|
Размеры машины |
1500 × 1400 × 1800 мм |
|
Прибл. Вес машины |
1500 кг |
|
Программное обеспечение |
Координированное управление гальванометром и подвижной платформой |
|
Поддержка файлов САПР |
Стандартный DXF |
|
Поддержка больших чертежей |
1 ГБ+ |
|
Дополнительный лазер |
УФ-пикосекундный лазер |
*Зона обработки 300 × 300 мм достигается за счет скоординированного сканирования гальванометра и движения-платформы. Размер единственного поля гальванометра составляет 50 × 50 мм.
Система лазерной резки QCW
|
Элемент |
Типичная спецификация |
|
Параметр |
Рекомендуемый диапазон |
|
Длина волны лазера |
1060-1080 нм |
|
Выходная мощность лазера |
150W-1000W |
|
Макс.диапазон резки |
Меньше или равно 300*400 мм. |
|
Толщина резки |
0,2-10 мм |
|
Материал |
Карбид кремния (SiC) Керамика |
|
Тип лазера |
Волоконный наносекундный лазер QCW |
|
Типичная толщина |
0,3–6 мм |
|
Основная обработка |
Резка, сверление, прорезание пазов, обрезка |
|
Обработка больших-отверстий |
Подходящий |
|
Точность повторного позиционирования оси X/Y |
±5 мкм |
|
Скорость обработки |
0-2000 мм/мин |
|
Максимальная скорость на расстоянии |
50 м/мин |
|
Точность обработки |
±0,01-0,02 мм |
|
Точность рабочего стола |
Меньше или равно 0,015 мм. |
|
Режим передачи |
Импортированный линейный двигатель +0.5линейка решеток мкм |
|
Вся мощность машины (без вентилятора) |
Меньше или равно 5 кВт |
|
Общий вес всей машины |
(около) 1200 кг |
|
Внешний размер (длина*ширина*высота) |
1150*1500*1850 мм |
|
Обработка микро-отверстий |
Не основное приложение |
|
Типичное применение |
Структурные и функциональные компоненты SiC |
|
Режим обработки |
Лазерная обработка с ЧПУ |
|
Кастомизация |
Доступно в соответствии с требованиями к заготовке и процессу |
*Фактическая допустимая толщина зависит от состава SiC, плотности, геометрии, траектории резания и требуемого качества кромки.
Применение лазерной обработки карбида кремния
Оборудование для производства полупроводников
Керамика SiC широко используется в оборудовании для производства полупроводников из-за ее термической стабильности, химической стойкости и стабильности размеров.
01
Силовая электроника
Керамические компоненты из SiC можно использовать в требовательных силовых-электронных устройствах и в высоко-температурных приложениях.
02
Фотоэлектрическое оборудование
Компоненты SiC используются в высокотемпературном-фотоэлектрическом производственном оборудовании и печах.
03
Аэрокосмическая и автомобильная промышленность
Высокие-температурные и износостойкие- свойства карбида кремния делают его пригодным для некоторых компонентов аэрокосмической и автомобильной промышленности.
04
Промышленная керамика
Лазерная обработка SiC также может использоваться для промышленных компонентов, требующих высокой твердости, термостойкости и износостойкости.
05
Типичные образцы лазерной обработки SiC
Образец сверления из карбида кремния
Прецизионный массив микро-отверстий с точным позиционированием и однородной геометрией отверстий.
Образец карбида кремния с реакционной-связкой
Прецизионная резка реакционно-связанного-карбида кремния для сложных структурных компонентов.
Образец сверления трубки из карбида кремния
Прецизионное сверление боковин с чистыми, четко-отверстиями.
Образец резки карбида кремния
Точная контурная резка с равномерным пропилом и чистыми краями.
Проверьте свой SiC, прежде чем инвестировать
Не уверены, требуется ли для вашего приложения SiC обработка УФ, QCW или пикосекундной лазерной обработкой?
Отправьте нам свой запрос!
- Материал:Марка SiC или спецификация материала
- Толщина:Толщина керамики
- Размер детали:Максимальные размеры заготовки
- Рисунок:DXF, DWG, PDF или другой доступный формат.
- Диаметр отверстия:Если требуется сверление
- Обработка:Резка/Сверление/Разметка/Прорезание пазов/Обрезка
- Качество:Допуски на размеры и требования к качеству-кромок
- Производство:Ожидаемый объем производства
Наши инженеры будут использовать эту информацию, чтобы рекомендовать подходящий лазерный источник, оптическую систему, платформу движения и стратегию обработки.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Какой лазер лучше всего подходит для резки карбида кремния?
О: Не существует единого лазера, который лучше всего подходил бы для каждого применения SiC.. 355УФ-лазеры обычно больше подходят для тонкого SiC, тонких структур и микро-отверстий, тогда как волоконные лазеры QCW лучше подходят для более толстого SiC, более крупных контуров, больших отверстий и высокоэффективной-обработки. УФ-пикосекундные лазеры можно рассматривать для применений, требующих более точных характеристик или меньшего теплового воздействия.
Вопрос: Можно ли лазером разрезать толстый SiC?
А: Да. Системы волоконного лазера QCW можно настроить для резки керамики SiC большей толщины. Типичная система WHYC Laser QCW имеет типичный диапазон обработки примерно 0,3–6 мм. Теоретический предел составляет 10 мм, что не рекомендуется в качестве стандарта массового производства.
Вопрос: Можете ли вы сверлить SiC лазером?
А: Да. В SiC можно просверлить лазером монтажные отверстия, позиционирующие отверстия, большие функциональные отверстия, микро-отверстия и массивы отверстий. Выбор подходящего лазера сильно зависит от требуемого диаметра отверстия, толщины материала, соотношения сторон и качества отверстия.
Вопрос: Может ли лазер QCW просверлить микро-отверстия в SiC?
Ответ: Лазерные системы QCW в первую очередь предназначены для больших отверстий и структурных отверстий, а не для прецизионных микро-отверстий. Для очень маленьких отверстий и массивов мелких отверстий обычно больше подходит УФ-лазер с длиной волны 355 нм или УФ-пикосекундный лазер.
Вопрос: Является ли УФ-лазер лучше, чем QCW для SiC?
О: Это зависит от приложения. УФ обычно предпочтительнее для тонкого карбида кремния, тонких структур, микро-отверстий, узких щелей и прецизионной обработки. QCW обычно предпочтительнее для более толстого SiC, больших контуров, больших отверстий и высокой-производственности.
Вопрос: Может ли станок обрабатывать сложные контуры SiC?
А: Да. Лазерная обработка с ЧПУ-может следовать индивидуальной геометрии САПР и создавать сложные контуры, пазы, кольца, отверстия и нестандартные профили без специальных механических режущих штампов.
Вопрос: Можете ли вы протестировать наш образец SiC перед покупкой оборудования?
А: Да. Рекомендуется тестирование образцов, поскольку требования к составу, плотности, толщине, геометрии и качеству SiC могут существенно повлиять на результаты обработки. Клиенты могут предоставить образцы, чертежи и технические требования для оценки.
Вопрос: Можно ли настроить станок для лазерной резки SiC?
А: Да. Мощность лазера, рабочая зона, оптическая система, платформа движения, позиционирование изображения, функции автоматизации и обработки могут быть настроены в соответствии с приложением.
Мы являемся одним из самых профессиональных производителей и поставщиков станков для лазерной резки в Китае, а также поддерживаем индивидуальное обслуживание. Вы можете свободно купить промышленный станок для лазерной резки на продажу здесь и получить предложение на нашем заводе. Для консультации по цене свяжитесь с нами.
